首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1023篇
  免费   40篇
  国内免费   46篇
系统科学   2篇
丛书文集   32篇
教育与普及   4篇
理论与方法论   3篇
现状及发展   27篇
综合类   1040篇
自然研究   1篇
  2024年   1篇
  2023年   4篇
  2022年   13篇
  2021年   16篇
  2020年   10篇
  2019年   5篇
  2018年   16篇
  2017年   18篇
  2016年   16篇
  2015年   31篇
  2014年   49篇
  2013年   23篇
  2012年   39篇
  2011年   42篇
  2010年   27篇
  2009年   39篇
  2008年   36篇
  2007年   41篇
  2006年   47篇
  2005年   34篇
  2004年   35篇
  2003年   53篇
  2002年   26篇
  2001年   40篇
  2000年   44篇
  1999年   33篇
  1998年   28篇
  1997年   38篇
  1996年   30篇
  1995年   29篇
  1994年   36篇
  1993年   37篇
  1992年   37篇
  1991年   22篇
  1990年   32篇
  1989年   34篇
  1988年   18篇
  1987年   20篇
  1986年   6篇
  1985年   2篇
  1984年   2篇
排序方式: 共有1109条查询结果,搜索用时 265 毫秒
971.
采用量子化学半经验AM1方法对 4种乙酰氧基 2 苯乙烯基苯并噻唑芳烃电致发光材料的性质进行了理论研究 .对各化合物优化后的构型作振动分析 ,均未出现虚频率 .在此基础上 ,采用CIS方法计算电子光谱 ,并对乙酰氧基的取代基效应进行了研究 ,所有计算结果与实验值基本吻合 .  相似文献   
972.
973.
974.
由无水稀土氯化物与烯丙基锂在四氢呋喃-乙醚中反应,合成了三个新的对空气极敏感的稀土烯丙基化合物.经元素分析、红外光谱鉴定等确定其组成为Li_2Ln(C_3H_5)_5·2.5 Dioxane(Ln=Dy、Ho、Er).  相似文献   
975.
首次把超临界相引入到合成气合成C2含氧化合物反应中。结果表明,在超临界相中进行反应可大幅度提高C2含氧化合物的选择性,尤其是提高产物乙醇的选择性,抑制了高碳数含氧化合物和烃类的生成。  相似文献   
976.
水滑石类化合物的性质及其催化应用   总被引:18,自引:0,他引:18  
简述了水滑石类化合物的性质。基于水滑石类化合物的特性,对水滑石类化合物及以其为前驱体的焙烧产物分别被用作碱催化剂、多酸型催化剂、氧化还催化剂和催化剂载体等进行了分类综述。  相似文献   
977.
研究了机械传动摩擦过程中因铁基合金材料磨损和浸蚀进入油体的金属铁,铁离子的分离和分析方法,特别是研究了油体中微小磨损颗粒的分离和其中金属铁的测定方法,并对方法的可靠性作了验证和判断。  相似文献   
978.
结构与反应性——氨基化合物与碳基化合物反应   总被引:4,自引:0,他引:4  
以合成为目的,研究羰基化合物是氨基化合物之间的反应,包括形成氮杂环化合物,链状席夫碱化合物和大环席夫碱化合物的反应,分离中间物和产物,并进行谱学跟踪。本文通过环己酮、联苯甲酰、β,β'一二(甲酰基苯氧基)乙基乙醚与硫代羰酰肼反应等诸例讨论各反应物、中间物、产物间结构与反应性之间的关系。  相似文献   
979.
报导了六个烷氧基亚甲基(或二甲氨基亚甲基)三甲基硅取代二茂铁衍生物的电子轰击电离质谱,在质谱图中都有较强的分子离子峰,还有[MMR]+或(M-NMe2)+,[M-SiMe3)+和C5H5Fe+等特征峰.  相似文献   
980.
水滑石及柱撑水滑石的制备和表征   总被引:18,自引:1,他引:18  
制备了水滑石Mg6Al2(OH)16CO3.4H2O和类水滑石Mg4Al2(OH)12(NO3)2.4H2O,Zn6Al2(OH)16CO3.4H2O它们的晶体结构基本相似,热稳定性都不很高,200℃时将失去全部结晶水,200~450℃时将失去全部层间阴离子,以及大部分OH^-。用离子交换法和共沉淀法制轩了1,5-二萘磺酸柱撑水滑石Mg4Al2(OH)12(C10H6(SO3)2).4H2O,其层  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号